Web针对这一问题,一篇high-k钙钛矿栅介质用于2D FETs的研究工作实现了新的突破,并于2024年5月11日登上了Nature。 1、SrTiO3介质薄膜制备及介电性能 钛酸锶(SrTiO3)是一种钙钛矿结构、具有超高介电常数(可达300)的材料。 要将SrTiO3作为栅介质来制备高性能2D FETs,获得单晶、原子级平整度、低表面缺陷的独立式薄膜(freestanding,即没 … Web假如有这么个关于high-k gate dielectrics对MISFET性能提升的课题: (1) 首先,肯定要比较挑选用哪种high-k材料吧? 是Al2O3,是HfO2,还是TiO2? 是不是要从 材料特性 开始研究和对比? band gap? conduction band offset? 长在Si channel的表面,结合好不好? 长远看,会不会因为特别容易吸收别的离子分子,产生reliability的问题? 等等等等..... …
前沿 2D High-K材料为晶体管提供新的方向 - 搜狐
Web18 de ago. de 2024 · 因此,High-K材料一般指高介电常数的材料。 导读 近日,美国斯坦福大学和SLAC国家加速器实验室的研究人员共同发现将硒化铪(HfSe2)和硒化锆(ZrSe2)这类High-K材料降低厚度变成2D的超薄材料,其拥有宽度相似的禁带。 http://qgxb.zzuli.edu.cn/zzqgxb/article/doi/10.12187/2024.02.006 hirschfeld hunter call of the wild
low-k:定義,作用,優缺點,_中文百科全書
Web18 de ago. de 2024 · 其次,HfSe2和ZrSe2 材料都需要生长在大面积的衬底上,这种方法可以有效的控制生长的厚度和结晶度。除此之外,在氧化环节还需要更精确的控制技术来确保高品质的High-K材料。 2D High-K材料目前的问题. 由于晶体管体积的减小,在超薄材料上制作触点成为了目前 ... WebBoth HfSe 2 and ZrSe 2 have moderate band gaps, regardless of layer number, and readily form native high-κ oxides, reproducing for the first time two key attributes of silicon for large-scale technological integration in a 2D nanomaterial, intrinsically scalable to the … Web17 de ago. de 2024 · 什么是High-K? “K”代表介电常数,一般指的是材料集中电场的能力。 在高介电常数的绝缘体中,相同的材料厚度下,该材料能够储存更多的电流容量。 因此,High-K材料一般指高介电常数的材料。 导读 近日,美国斯坦福大学和SLAC国家加速器实验室的研究人员共同发现将硒化铪 (HfSe2)和硒化锆 (ZrSe2)这类High-K材料降低厚度变 … hirschfeld german shepherds in ohio